場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡（SEM）
生產(chǎn)廠(chǎng)家：美國(guó)賽默飛（FEI）
設(shè)備型號(hào)：Apreos
主要技術(shù)指標(biāo)：
1.電壓范圍：800 V～30 kV（SEM）；
2.最佳分辨率：靜電-磁復(fù)合末級(jí)透鏡在 1 kV 電壓下的分辨率為 1.0 nm；
3.成像模式：二次電子或背散射；
4.測(cè)量倍數(shù)范圍： 200~300000×
應(yīng)用范圍：
SEM廣泛應(yīng)用于復(fù)合材料、陶瓷材料、金屬材料、高分子材料、生物材料、電子材料等塊體、片狀、薄膜樣品的微觀(guān)形貌分析及其成份定性分析，是研究各種材料的超顯微結(jié)構(gòu)與性能關(guān)系不可缺少的工具。FEI Apreos是研究納米顆粒、催化劑、粉末和納米器件的理想平臺(tái)，傳統(tǒng)的高分辨率 SEM 透鏡技術(shù)分為兩類(lèi)：磁浸沒(méi)或靜電。FEI Apreos將兩種技術(shù)結(jié)合到一個(gè)儀器中。這樣做所產(chǎn)生的成效遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)任一種鏡筒的個(gè)體性能。兩種技術(shù)均使電子束形成細(xì)小探針，以提高低電壓下的分辨率，并使信號(hào)電子進(jìn)入鏡筒。通過(guò)將磁透鏡和靜電透鏡組合成一個(gè)復(fù)合透鏡，不但提高了分辨率，還增加了特有的信號(hào)過(guò)濾選項(xiàng)。
樣品要求及測(cè)試說(shuō)明：
1. 塊體、片狀、薄膜尺寸小于1*1*0.5 cm；粉末樣品大于5 mg；
2. 塊體、片狀、薄膜樣品請(qǐng)標(biāo)注測(cè)試面；
3. 含水樣品測(cè)試時(shí)均需干燥后測(cè)試；
4. 送樣請(qǐng)先檢測(cè)磁性并如實(shí)告知，因?yàn)榇判晕凑f(shuō)明損傷儀器，需要承擔(dān)維修費(fèi)用，本設(shè)備只測(cè)試非磁性樣品和極微弱磁性樣品（攪拌轉(zhuǎn)子不吸引）。
5、能譜EDS備注理想?yún)^(qū)域，如有標(biāo)尺要求請(qǐng)備注，如果沒(méi)有備注，常規(guī)測(cè)試；
6、周期表中1-4號(hào)元素不能測(cè)試能譜；B、C、N、O、F等超輕元素能譜測(cè)試不準(zhǔn)，望知曉；
7. 樣品不能含有任何液體溶劑，同時(shí)具有放射性、易揮發(fā)性、不穩(wěn)定的物質(zhì)和強(qiáng)酸強(qiáng)堿性樣品也無(wú)法測(cè)試，例如 S、Na、K 金屬單質(zhì)， Fe 塊等。
測(cè)試項(xiàng)目及價(jià)格
（1）僅形貌觀(guān)察（SEM）：
400元/小時(shí)，（根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，通常倍數(shù)在50000以下每小時(shí)可測(cè)3個(gè)樣，50000-300000×由于樣品性質(zhì)不同，無(wú)法確定個(gè)數(shù)）。
（2）僅元素分析（EDS）：
EDS點(diǎn)分析：150元/每個(gè)樣品，每個(gè)樣品最多取3個(gè)點(diǎn)，超過(guò)后每增加一個(gè)點(diǎn)加收10元；
EDS線(xiàn)分析：175元/每1條線(xiàn)；
EDS面分析：200元/面分布/15分鐘。
（3）形貌觀(guān)察和元素分析（SEM+EDS）：
形貌觀(guān)察：與僅形貌觀(guān)察收費(fèi)相同。
元素分析：EDS點(diǎn)分析75元/每個(gè)樣品，限3個(gè)點(diǎn)，超過(guò)每點(diǎn)加收10元；
EDS線(xiàn)分析：100元/每1條線(xiàn)；
EDS面分析：125元/個(gè)面分布/15分鐘。